 |
GB3 A1DPS 1100nm 85c Photo Switch Sensor 0.1uA Photo Sensor Light Switch
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | دونغقوان ، قوانغدونغ ، الصين |
| اسم العلامة التجارية: | AMPFORT |
| إصدار الشهادات: | ROHS |
| رقم الموديل: | GB3-A1DPS |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 1000 قطعة |
|---|---|
| الأسعار: | Negotiable |
| تفاصيل التغليف: | حجم |
| وقت التسليم: | 7-10 يوم عمل |
| شروط الدفع: | T / T ، باي بال ، ويسترن يونيون |
| القدرة على العرض: | 1،000،000 قطعة شهريا |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| اسم: | مستشعر الصور GB3-A1DPS | ميزات: | شكوى RoHS |
|---|---|---|---|
| نطاق الاستجابة الطيفية: | 850 نانومتر | الطول الموجي لحساسية الذروة: | 400-1100 نانومتر |
| الظلام الحالي: | 0.1uA | درجة حرارة اللحام: | -40 ~ + 100 ℃ |
| درجة حرارة التخزين: | -25 ~ 85 ℃ | المواد الرئيسية: | السيليكون ، راتنجات الايبوكسي |
| تسليط الضوء: | مستشعر تبديل الصور GB3 A1DPS,مستشعر مفتاح الصورة 1100nm 85c,مفتاح إضاءة مستشعر الصور 0.1uA |
||
منتوج وصف
شكوى بنفايات مرئية بالقرب من مستشعر صور عبوة بلاستيكية لـ IR Dector GB3-A1DPS
■ وصف المنتج لمستشعر الصور المرئي إلى القريب من IR Dector Plastic Package GB3-A1DPS
يتمتع مستشعر الضوء LXD / GB3-A1DPS باستجابة طيفية تقريبًا مرئية فقط لنطاق الأشعة تحت الحمراء القريب ، يوفر LXD / GB3-A1DPS ثباتًا صغيرًا في درجات حرارة ألوان مختلفة عن النوع التقليدي.يتم تغليف LXD / GB3-A1DPS في عبوة بلاستيكية لها نفس شكل العبوات المعدنية.يشبه شكل LXD / GB3-A1DPS أيضًا المستشعرات المرئية من النوع 5R (خلايا CdS الضوئية) ، لذلك يمكن استخدام LXD / GB3-A1DPS كبديل لتلك المستشعرات المرئية والقريبة من الأشعة تحت الحمراء.
■ ميزات المرئي إلى القريب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
* عملية سهلة الاستخدام مثل الترانزستور الضوئي
* تقلبات خرج - تيار أقل مقارنة بخلايا الترانزستورات الضوئية والخلايا الموصلة الضوئية CdS.
* خطي ممتاز ، خرج تيار خطي جيد على الإضاءة
* torelance صغير لمصادر الضوء تنتج نفس الإضاءة في درجات حرارة ألوان مختلفة.
* تيار داكن منخفض وحساسية عالية للصور.
* متوافق مع RoHS ، بديل خالٍ من الكادميوم للخلايا الضوئية.
■ تطبيقات المرئي إلى القريب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
* تبديل الضوء الداخلي والخارجي (مفتاح الغسق / الفجر)
* التحكم في الإضاءة الداخلية والخارجية (التعتيم)
* ضوء السيارة الأمامي باهتة
* التحكم في تباين العرض
* مقاييس الألوان
* استبدال الخلايا الكهروضوئية CdS
الحد الأقصى المطلق للتقديرات / (Typ.Ta = 25 ℃) للمستشعر المرئي بالقرب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
| معامل | رمز | قيمة | وحدة |
| جهد جامع-باعث | VCEO | 12 | الخامس |
| باعث جامع الجهد | VEOC | 5 | الخامس |
| تبديد السلطة في | كمبيوتر | 70 | ميغاواط |
| درجة حرارة التخزين | إلى PR | -25 ~ 85 | ℃ |
| درجة حرارة اللحام | تستغ | -40 ~ + 100 | ℃ |
الخصائص الكهروضوئية (Typ.Ta = 25 ℃) للمستشعر المرئي بالقرب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
| معامل | رمز | شرط | دقيقة. | النوع. | الأعلى. | وحدة |
| نطاق الاستجابة الطيفية | ص | / | - | 850 | - | نانومتر |
| الطول الموجي لحساسية الذروة | λ د | / | 400 | - | 1100 | نانومتر |
| الظلام الحالي | بطاقة تعريف | Vdd = 5V Ev = 0 Lux | - | - | 0.1 | uA |
| تيار ضوئي | ال (1) | Vdd = 5V Ev = 10 Lux | 3.0 | - | 5.0 | uA |
| Vdd = 5V Ev = 30 Lux | 9.0 | - | 15.0 | uA | ||
| تيار ضوئي | IL (2) * | Vdd = 5V Ev = 100 Lux | 30 | 40 | 50 | uA |
| وقت الشروق | آر | VCE = 5V IC = 1mA RL = 1000Ω | 15 | تصلب متعدد | ||
| وقت السقوط | تف | 15 | ||||
الاستجابة الطيفية تيار الضوء مقابل تيار الظلام مقابل درجة الحرارة
■ مثال لدائرة التشغيل لمستشعر الصور المرئي إلى القريب من IR Dector البلاستيكي حزمة GB3-A1DPS
■ الخطوط العريضة للأبعاد للمستشعر المرئي إلى القريب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS (الوحدة: مم)
مواصفات سلسلة المرئي إلى القريب من IR Dector Plastic Package Photo Sensor GB3-A1DPS
| تحديد (مم) | نموذج | الحد الأدنى من الجهد التشغيلي (الخامس) | القدرة على رفض الأشعة تحت الحمراء | تيار الضوء (uA) | الظلام الحالي | الاستجابة الطيفية القصوى | ||||
| @ 10 لوكس | @ 100 لوكس | @ 200 لوكس | @ 1000 لوكس | @ 2000 لوكس | @ 0 لوكس | |||||
| ￠ 3 | LXD / GB3-A1C | 2.0 فولت | ||||||||
| العدد = 250uA | نعم | 12.5 | 125 | 250 | - | - | <1 غ | 520 نانومتر | ||
| ￠ 5 | LXD / GB5-A1C | 2.0 فولت | ||||||||
| العدد = 250uA | نعم | 12.5 | 125 | 250 | - | - | <1 غ | 520 نانومتر | ||
| ￠ 3 | LXD / GB3-A2C | 2.0 فولت | ||||||||
| العدد = 250uA | نعم | - | 15 | - | 150 | 300 | <1 غ | 520 نانومتر | ||
| ￠ 5 | LXD / GB5-A2C | 2.0 فولت | ||||||||
| العدد = 250uA | نعم | - | 15 | - | 150 | 300 | <1 غ | 520 نانومتر | ||
| ￠ 5 | LXD / GB5-A1DPF | 2.0 فولت | نعم | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520 نانومتر |
| العدد = 250uA | ||||||||||
| ￠ 5 | LXD / GB5-A1DPB | 2.0 فولت | 240 | |||||||
| IC = 20mA ، IB = 100uA | نعم | 17 | 170 | - | - | <10 غ | 850 نانومتر | |||
| ￠ 5 | LXD / GB5-A1DPM | 2.0 فولت | 600 | |||||||
| IC = 20mA ، IB = 100uA | نعم | 30 | 300 | - | - | <10 غ | 850 نانومتر | |||
